Tranzystor MOSFET BSS84P

Obudowa : SOT-23 TO-236-3

Producent : Infineon Technologies ( kod producenta INF )

Ilość wyprowadzeń : 3

Montaż : SMD

Typ kanału : Kanał typu P

I(d) : 170 mA

Napięcie U(BR) (DSS) : 60V

Moc (maks) P(TOT) : 360 mW

R(DS) wł. : 8Ω

Natężenie odniesienia R(DS)(on) : 170mA

Napięcie odniesienia R(DS)(on) : 10V

U(GS)(th) max. : 2V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th) : 20uA

Q(G) : 1,5nC

Napięcie odniesienia Q(G) : 10V

C(ISS) : 19pF

Napięcie odniesienia C(ISS) : 25V

Minimalna temperatura robocza : -55°C

Seria (elementu półprzewodnikowego) : SIPMOS®

Maksymalna temperatura robocza : +150°C

Cecha tranzystora : poziom bramki logicznej

U(DSS) : 60V

Ilość kanałów : 1