2N7002 12W
2,46 zł
Brutto
Marking Code : 12W
N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
Typ tranzystora : N-MOSFET
Napięcie dren-źródło : 60V
Prąd drenu : 0,115A
Prąd drenu w impulsie : 0,8A
Moc rozpraszana : 0,2W
Obudowa : SOT23
Napięcie bramka-źródło : ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia : 13,5Ω
Montaż : SMD
Rodzaj kanału : wzbogacany
Masa brutto : 0,018g
24 szt.
Typ tranzystora : N-MOSFET
Napięcie dren-źródło : 60V
Prąd drenu : 0,115A
Prąd drenu w impulsie : 0,8A
Moc rozpraszana : 0,2W
Obudowa : SOT23
Napięcie bramka-źródło : ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia : 13,5Ω
Montaż : SMD
Rodzaj kanału : wzbogacany
Masa brutto : 0,018g
