• Nowy
MPF10N60 zdjęcie 1
search
  • MPF10N60 zdjęcie 1
  • MPF10N60 - zdjęcie 2

Tranzystor MOSFET MPF10N60 600V 10A N-Channel TO-220F

9,84 zł
Brutto

= STP10NK60ZFP

Tranzystor mocy MPF10N60 MOSFET N-Channel 600 V / 10 A w izolowanej obudowie TO-220F.

Przeznaczony do zastosowań w układach zasilania impulsowego, przetwornicach napięcia oraz elektronicznych układach sterowania.

  • Napięcie VDS: 600 V

  • Prąd drenu ID: 10 A

  • Rezystancja RDS(on): maks. 0,85 Ω

  • Obudowa: TO-220F

  • Montaż: THT

Ilość
Ostatnie sztuki w magazynie

Tranzystor MOSFET MPF10N60 600V 10A TO-220F

MPF10N60 to wysokonapięciowy tranzystor polowy MOSFET z kanałem typu N, przeznaczony do przełączania obciążeń w układach energoelektronicznych.

Element charakteryzuje się napięciem dren–źródło 600 V oraz dopuszczalnym prądem drenu 10 A w warunkach określonych przez producenta.

Zastosowanie izolowanej obudowy TO-220F ułatwia montaż tranzystora na odpowiednio dobranym radiatorze.

Przykładowe zastosowania

  • Zasilacze impulsowe AC/DC.

  • Przetwornice napięcia.

  • Sterowniki urządzeń elektronicznych.

  • Układy przełączające i regulacyjne.

  • Naprawa modułów zasilania sprzętu RTV i AGD.

Parametry techniczne

  • Typ: MPF10N60

  • Technologia: MOSFET

  • Kanał: N

  • VDS: 600 V

  • ID: 10 A

  • RDS(on): maksymalnie 0,85 Ω

  • Obudowa: TO-220F

  • Montaż: przewlekany THT

  • Liczba wyprowadzeń: 3

Dobór zamiennika

Przy wymianie tranzystora należy porównać napięcie przebicia, prąd drenu, rezystancję RDS(on), parametry sterowania bramki, właściwości dynamiczne oraz rodzaj obudowy.

Nie każdy tranzystor MOSFET 600 V / 10 A jest bezpośrednim zamiennikiem MPF10N60.

MIM ELECTRONICS – Naprawiamy, zamiast wymieniać.

2 szt.
Nowy

Tranzystor MOSFET MPF10N60 600V 10A TO-220F

MPF10N60 to wysokonapięciowy tranzystor polowy MOSFET z kanałem typu N, przeznaczony do przełączania obciążeń w układach energoelektronicznych.

Element charakteryzuje się napięciem dren–źródło 600 V oraz dopuszczalnym prądem drenu 10 A w warunkach określonych przez producenta.

Zastosowanie izolowanej obudowy TO-220F ułatwia montaż tranzystora na odpowiednio dobranym radiatorze.

Przykładowe zastosowania

  • Zasilacze impulsowe AC/DC.

  • Przetwornice napięcia.

  • Sterowniki urządzeń elektronicznych.

  • Układy przełączające i regulacyjne.

  • Naprawa modułów zasilania sprzętu RTV i AGD.

Parametry techniczne

  • Typ: MPF10N60

  • Technologia: MOSFET

  • Kanał: N

  • VDS: 600 V

  • ID: 10 A

  • RDS(on): maksymalnie 0,85 Ω

  • Obudowa: TO-220F

  • Montaż: przewlekany THT

  • Liczba wyprowadzeń: 3

Dobór zamiennika

Przy wymianie tranzystora należy porównać napięcie przebicia, prąd drenu, rezystancję RDS(on), parametry sterowania bramki, właściwości dynamiczne oraz rodzaj obudowy.

Nie każdy tranzystor MOSFET 600 V / 10 A jest bezpośrednim zamiennikiem MPF10N60.

MIM ELECTRONICS – Naprawiamy, zamiast wymieniać.