- Nowy
Tranzystor mocy MPF10N60 MOSFET N-Channel 600 V / 10 A w izolowanej obudowie TO-220F.
Przeznaczony do zastosowań w układach zasilania impulsowego, przetwornicach napięcia oraz elektronicznych układach sterowania.
Napięcie VDS: 600 V
Prąd drenu ID: 10 A
Rezystancja RDS(on): maks. 0,85 Ω
Obudowa: TO-220F
Montaż: THT
MPF10N60 to wysokonapięciowy tranzystor polowy MOSFET z kanałem typu N, przeznaczony do przełączania obciążeń w układach energoelektronicznych.
Element charakteryzuje się napięciem dren–źródło 600 V oraz dopuszczalnym prądem drenu 10 A w warunkach określonych przez producenta.
Zastosowanie izolowanej obudowy TO-220F ułatwia montaż tranzystora na odpowiednio dobranym radiatorze.
Zasilacze impulsowe AC/DC.
Przetwornice napięcia.
Sterowniki urządzeń elektronicznych.
Układy przełączające i regulacyjne.
Naprawa modułów zasilania sprzętu RTV i AGD.
Typ: MPF10N60
Technologia: MOSFET
Kanał: N
VDS: 600 V
ID: 10 A
RDS(on): maksymalnie 0,85 Ω
Obudowa: TO-220F
Montaż: przewlekany THT
Liczba wyprowadzeń: 3
Przy wymianie tranzystora należy porównać napięcie przebicia, prąd drenu, rezystancję RDS(on), parametry sterowania bramki, właściwości dynamiczne oraz rodzaj obudowy.
Nie każdy tranzystor MOSFET 600 V / 10 A jest bezpośrednim zamiennikiem MPF10N60.
MIM ELECTRONICS – Naprawiamy, zamiast wymieniać.
MPF10N60 to wysokonapięciowy tranzystor polowy MOSFET z kanałem typu N, przeznaczony do przełączania obciążeń w układach energoelektronicznych.
Element charakteryzuje się napięciem dren–źródło 600 V oraz dopuszczalnym prądem drenu 10 A w warunkach określonych przez producenta.
Zastosowanie izolowanej obudowy TO-220F ułatwia montaż tranzystora na odpowiednio dobranym radiatorze.
Zasilacze impulsowe AC/DC.
Przetwornice napięcia.
Sterowniki urządzeń elektronicznych.
Układy przełączające i regulacyjne.
Naprawa modułów zasilania sprzętu RTV i AGD.
Typ: MPF10N60
Technologia: MOSFET
Kanał: N
VDS: 600 V
ID: 10 A
RDS(on): maksymalnie 0,85 Ω
Obudowa: TO-220F
Montaż: przewlekany THT
Liczba wyprowadzeń: 3
Przy wymianie tranzystora należy porównać napięcie przebicia, prąd drenu, rezystancję RDS(on), parametry sterowania bramki, właściwości dynamiczne oraz rodzaj obudowy.
Nie każdy tranzystor MOSFET 600 V / 10 A jest bezpośrednim zamiennikiem MPF10N60.
MIM ELECTRONICS – Naprawiamy, zamiast wymieniać.